作者单位
摘要
1 湖北第二师范学院物理与机电工程学院, 湖北 武汉 430205
2 华中科技大学光学与电子信息学院, 湖北 武汉 430074
3 天津大学精密仪器与光电子工程学院, 天津 300072
为了研究在半导体上施加外磁场对太赫兹辐射的影响, 基于drude-Lorentz模型对三种不同的半导体材料GaAs、InAs、InSb在不同的外磁场方向下太赫兹辐射功率的变化进行了研究。研究结果发现, 外磁场对具有较小有效质量和较高电子迁移率的半导体材料的太赫兹辐射增强效应最明显。此外, 太赫兹辐射最强时GaAs和InAs的最佳外磁场方向是沿y轴负方向, InSb的最佳外磁场方向是在与x轴及相反方向成40°夹角的x-z平面内。
太赫兹辐射 drude-Lorentz模型 外磁场 辐射增强 terahertz radiation drude-Lorentz model external magnetic field radiation enhancement 
应用激光
2017, 37(5): 715
Author Affiliations
Abstract
1 Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
2 School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
3 College of Precision Instrument and Optoelectronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China
We theoretically present a concise and tunable dual-band metamaterial absorber composed of a typical metal-dielectric-metal structure in the terahertz regime. The dual-band absorption originates from two different resonance modes induced in one square ring, which is different from the common dual-band absorber composed of a super unit with several different-sized structures. The proposed absorber can realize dynamic tunability through changing the permittivity of the dielectric layer by applying different temperatures. Other good performances, such as a wide incident angle and polarization insensitivity, are also available for the proposed absorber. Such a metamaterial absorber is a promising candidate for terahertz imaging and detection.
230.0230 Optical devices 160.0160 Materials 
Chinese Optics Letters
2016, 14(10): 102303
作者单位
摘要
1 华中科技大学 光学与电子信息学院 武汉光电国家实验室, 武汉 430074
2 湖北省第二师范学院 信息科学与技术学院 物理与机电工程系, 武汉 430205
为了提高多波长光脉冲设备的实用性, 采用双波长工作原理, 设计了一种稳定的双波长半导体环形光纤激光器。讨论了环形腔色散、滤波器脉宽以及调制深度等对输出脉冲的影响。结果表明, 双波长光脉冲的重复率为5.0GHz, 典型脉宽为20ps, 双波长光脉冲具有良好的边模抑制比, 当输出波长为1554.75nm和1557.21nm时, 边模抑制比分别为29.1dB和29.7dB, 其典型的输出功率分别为-6.7dBm和-6.1dBm, 输出光谱的峰值功率波动小于0.5dB。这项研究对太赫兹源和多波长光脉冲设备的研究具有借鉴意义。
激光器 双波长 主动锁模 半导体光放大器 lasers dual-wavelength actively mode-locked semiconductor optical amplifier 
激光技术
2016, 40(1): 109

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